β-SiC（立方SiC）具有优良的物理化学性能，具有高强度、高硬度、高热导率、高烧结活性、高半导体特性和低热膨胀系数。其硬度与金刚石接近，俗称金刚砂；对样品进行抛光，抛光性能远超白刚玉和α-SiC（黑碳化硅和绿碳化硅），样品表面粗糙度良好；β-SiC由于晶粒中电子空穴缺陷较多、其禁带宽度小于α-SiC，因此导电性比α-SiC的高几倍；β-SiC具有优良的热导率和低热膨胀系数，使得其在加热和冷却过程中受到的热应力很小。

β-SiC的基本性质表

对SiC多形体的量子计算指出，β-SiC(3C)属于面心立方结构，是低温型稳定相，在1600℃左右即可发生β-SiC向α-SiC的相变；低温下，β-SiC是一种亚稳定相，稳定相应该是2Hα-SiC，之所以β-SiC(3C)在低温下稳定存在，主要是杂质的作用。在密度方面，β-SiC比大多数合金小一半，为钢的40%，与铝大致相同。

β-SiC（立方SiC）制备的方法有多种：激光法、等离子法和固相合成法。激光法、等离子法工艺主要合成纳米及亚微米粉体，且由于合成时间短，无法做到颗粒的真正致密，且颗粒纯度相对不高；固相合成法工艺方式较多，但都具有一定技术难度，就国际行业调查来看，真正做到高结晶、高纯度、批量化的全球范围内只有少数企业做到，并已进入市场多年，其他厂家大多停留在理论或实验阶段，产品大多存在β相含量不高、产品杂质多、难以批量生产等多项缺点。