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碳化硅宽禁带半导体目前存在的问题

文章出处:粉体网网责任编辑:作者:粉体网人气:-发表时间:2022-05-14 15:50:00【

一、大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。

目前国际上已经开发出了8英寸SiC单晶样品,单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC单晶衬底加工技术;p型衬底技术的研发较为滞后。

二、n型SiC外延生长技术有待进一步提高。

三、SiC功率器件的市场优势尚未完全形成,尚不能撼动目前硅功率半导体器件市场上的主体地位。

国际SiC器件领域:SiC功率器件向大容量方向发展受限制;SiC器件工艺技术水平比较低;缺乏统一的测试评价标准。

中国SiC功率器件领域存在以下3个方面差距:

(1)在SiCMOSFET器件方面的研发进展缓慢,只有少数单位具备独立的研发能力,产业化水平不容乐观。

(2)SiC芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断,特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等,国内大规模建立SiC工艺线所采用的关键设备基本需要进口。

(3)SiC器件高端检测设备被国外所垄断。

四、目前SiC功率模块存在的主要问题:

(1)采用多芯片并联的SiC功率模块,会产生较严重的电磁干扰和额外损耗,无法发挥SiC器件的优良性能;SiC功率模块杂散参数较大,可靠性不高。

(2)SiC功率高温封装技术发展滞后。

五、SiC功率器件的驱动技术尚不成熟。

六、SiC器件的应用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。一般只适合于对精度要求较低的常规工业场合。

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