当前以碳化硅半导体材料为代表的新材料研发和生产，现已成为实现我国材料强国梦的重要组成部分。由于我国在第一代、第二代半导体领域的研讨和开发严峻落后于欧美日等兴旺国家和地区，每年都要进口上千亿美元以上的电子器材。

　　在当今科技创新日益发展的年代，以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体材料的研发现已得到许多国家的高度重视。因为碳化硅半导体衬底材料可制造大功率、高热导率的高频率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分显著的性能优势。因此，碳化硅半导体科技被许多发达国家和地区政府列入国家战略，投入大量资金进行扶持。

　　金蒙新材料公司生产的高品质碳化硅微粉属于宽禁带半导体，具有很多优秀的物理特性，例如(1)大概10倍的电场强度;(2)大概高3倍的热导率;(3)大概宽3倍禁带宽度;(4)大概高一倍的饱满漂移速度。因而被广泛应用在此类行业领域。