碳化硅游离碳的测定

文章出处：原创网责任编辑：金蒙新材作者：人气：-发表时间：2018-02-20 15:31:00【大中小】

一、原理

试样在750℃±10℃（650℃±10℃）的温度下，经过灼烧，其表面的游离碳被氧化成二氧化碳损失，失去的重量来计算游离碳的含量。二、分析步骤

1.F400(P800、W28、JIS#700)及以粗的试样的测定

称取试样1克于已灼烧至恒重的铂皿中，置于炉温为750℃±10℃的马弗炉中，灼烧30分钟，取出冷却后，称重，反复灼烧至恒重。

2.F400(P800、W28、JIS#700)以细的试样的测定

称取试样1克于已灼烧至恒重的铂皿中，置于炉温为650℃±10℃的马弗炉中，灼烧25分钟，取出冷却后，称重，反复灼烧至恒重。三、结果计算

游离碳的质量含量W(CF)，数值以％表示，按下列公式计算：

式中：

m1——试样加铂皿灼烧前质量的数值，单位为克（g）；

m2——试样加铂皿灼烧后质量的数值，单位为克（g）；

m3——试样质量的数值，单位为克（g）；

计算结果精确到0.01。

山东金蒙新材料拥有16年碳化硅生产经验，欢迎新老客户来电咨询4001149319。选碳化硅选择金蒙！

此文关键字：碳化硅

欢迎光顾金蒙新材料官方网站！