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我国半导体产业发展步入“新常态”

文章出处:原创网责任编辑:杨丽君作者:彭国臣人气:-发表时间:2015-01-15 16:04:00【

  目前全球半导体技术发展正处于变革升级的重要节点。随着基于硅的制程工艺日渐逼近所谓物理极限,基于砷化镓,以及碳化硅和氮化镓的第二、三代半导体技术正蓬勃兴起。

  其中,以碳化硅材料作为第三代半导体原料,是目前半导体界公认的一种具有较高开发潜力的新式半导体材料,属于典型宽禁带半导体,与其他材料相比具有很多优秀的物理特性。

  碳化硅与硅、砷化镓、氮化镓等其他半导体材料相比更具有以下优点:1、碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。2、碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。3、碳化硅具有高热导率。4、碳化硅器件可工作在高温,碳化硅器件已有工作在600℃的报道,而硅器件的最大工作温度仅为150℃。5、碳化硅具有很高的抗辐照能力。6、碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小,可靠性好。7、碳化硅器件具有很好的反向恢复特性,反向恢复电流小,开关损耗小。

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