目前全球半导体技术发展正处于变革升级的重要节点。随着基于硅的制程工艺日渐逼近所谓物理极限，基于砷化镓，以及碳化硅和氮化镓的第二、三代半导体技术正蓬勃兴起。

  其中，以碳化硅材料作为第三代半导体原料，是目前半导体界公认的一种具有较高开发潜力的新式半导体材料，属于典型宽禁带半导体，与其他材料相比具有很多优秀的物理特性。

  碳化硅与硅、砷化镓、氮化镓等其他半导体材料相比更具有以下优点：1、碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。2、碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。3、碳化硅具有高热导率。4、碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600℃的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150℃。5、碳化硅具有很高的抗辐照能力。6、碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。7、碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。