近二十年来碳化硅半导体材料开始被行内人士重视，因为它有许多优势。早在上世记50年代，在黄昆、谢希德合著的“半导体物理学”著作中已介绍了半导体碳化硅。最早进入制作半导体器件的材料是锗，随后，硅和三、五族半导体材料登上了历史舞台。直至如今电力电子领域的晶闸管和IGBT等高压、大电流器件仍是使用硅单晶材料。由于碳化硅器件设计理论有所突破，人们对更高性能的大功率半导体器件的期望也越来越迫切。世界不少大型半导体公司纷纷开发降低碳化硅器件沟道电阻并且降低整个器件功耗的技术。目前,低功耗的碳化硅器件已经从实验室进入了实用器件生产阶段，通过不断的研究开发,碳化硅器件将主宰功率器件的市场。