碳化硅的化学属性
小编今天给大家介绍一下碳化硅的化学属性，让您知道我们山东金蒙新材料股份有限生产的碳化硅到底是啥。
1：抗化合性：碳化硅材料在氧气中反应温度达到1300℃时，在其碳化硅晶体表层已经生成二氧化硅保护层。随着保护层的加厚，抵制了里面碳化硅继续被化合，这使碳化硅有较好的抗化合性。当气温达到1900K(1627℃)以上时，二氧化硅保护膜已经被破坏，碳化硅化合效应加重，从而1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高工作气温。
2：耐酸碱性：在耐酸、碱及化合物的效用方面，因为二氧化硅保护膜的效用，碳化硅的抗酸能力非常非常强，抗碱性稍差。
物理性能
密度：各样碳化硅晶形的颗粒密度十分相近，通常情况下，应该是3.20 g/mm³，其碳化硅磨料的堆砌密度在1.2--1.6 g/mm³之间，其高矮取决于其粒度号、粒度合成和颗粒形状的大小。
硬度： 碳化硅的硬度为：莫氏9.5级。单晶硅的硬度为：莫氏7级。多晶硅的硬度为：莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。
导热率：碳化硅制品的导热率非常高，热膨胀参数小，抗热震性非常高，是优质的耐火材料。
电学属性
恒温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。
其它属性
亲水性好。
众所周知, SiC是共价键很强的化合物。按照Pauling对电负性的计算, SiC 中Si一C键的离子性仅12%左右。因此,SiC 的硬度高、弹性模量大, 具有优良的耐磨损性能。值得指出的是, SiC氧化时, 表面形成的二氧化硅层会抑制氧的进一步扩散, 因而, 其氧化速率并不高。在电性能方面, SiC具有半导体特性, 少量杂质的引入会使其表现出良好的导电性：此外,SiC 还具有优良的导热性。
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此文关键字：碳化硅
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