近年随着碳化硅制品烧结的发展，碳化硅陶瓷采用无压烧结工艺，烧结后的制品性能优良，从而成为一种很有发展前途的烧结方法。

通过无压烧结，碳化硅陶瓷的成型压力为140MPa，保压时间为90s；粘结剂用量为物料总质量的3%；含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结，烧结过程主要由扩散机制控制,烧结温度为2150℃；含有Al_2O_3、K_2O、Na_2O、MgO等金属氧化物作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于液相烧结，烧结过程主要由界面反应控制，烧结温度为1350℃。

另外，采用无压烧结工艺所得碳化硅陶瓷的密度为3.16g/cm-3(相对密度98.75%),抗压强度为550MPa。添加适当含量的C+B_4C烧结助剂的碳化硅无压烧结工艺简单且易于控制，陶瓷烧结后相比于生坯有30%左右的体积收缩，可以获得致密度较高，力学性能较好的碳化硅陶瓷。