碳化硅的特点有很多，但是具体我们了解的并不是很多，金蒙新材帮大家来总结一下。

　　碳化硅的形成主要有两种结晶形态：b-SiC和a-SiC。

　　1.b-SiC为面心立方闪锌矿型结构，晶格常数a=0.4359nm。

　　2.a-SiC是SiC的高温型结构，属六方晶系，它存在着许多变体。

　　另外自然界中机会没有天然的碳化硅，一般都是通过高温冶炼形成的。在实际生产过程中，碳化硅的冶炼介绍：

　　1.约从1700℃开始，硅质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽(白烟);SiO2熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成Sic的反应;

　　2.温度升高至1700~1900℃时，生成b-SiC;温度进一步升高至1900~2000℃时，细小的b-SiC转变为a-SiC，a-SiC晶粒逐渐长大和密实;炉温再升至2500℃左右，SiC开始分解变为硅蒸汽和石墨。

　　当冶炼温度达到一定程度时，我们都可以从冶炼炉中看到最内层的碳化硅是含量最高的，最高可以达到99%，越往外碳化硅的含量就越低。