众所周知，碳化硅是目前半导体界公认的一种具有较高开发潜力的新式半导体材料。金蒙新材料公司所生产的碳化硅微粉属于典型宽禁带半导体，与其他材料相比具有很多优秀的物理特性。

　　大家通常认识一般就是碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带), 达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3 倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为 49w/cm.k。

　　碳化硅与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件和金属与半导体接触的肖特基二极管。

　　但除此之外，其更具有以下优点：

　　1、碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。

　　2、碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场 而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。

　　3、碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。

　　4、碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600℃的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150℃。

　　5、碳化硅具有很高的抗辐照能力。

　　6、碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。

　　7、碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。

　　8、碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。