Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出，但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在，其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术的探索阶段，时间跨度从1924年发现SiC结构至1955年Lely法的提出。第二阶段是物理基本性质研究和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(PVT)生长方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC衬底材料。从1994年以后，随着国际上半导体照明及2英寸SiC单晶衬底的突破性进展，掀起了全球SiC器件及相关技术的研究热潮。

2015年美国Ⅱ-Ⅵ公司首次研制成功8英寸SiC单晶衬底，美国Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ公司均于2019年宣布开始建设8英寸SiC单晶衬底生产线。美国Wolfspeed公司最早研究和生产SiC晶体和晶片，1991年推出商品化2英寸6H-SiC单晶片，并于1994年研发出2英寸4H-SiC单晶，1999年推出商品化3英寸6H-SiC单晶片，并于2004年研发出3英寸4H-SiC单晶，2007年推出4英寸“零微管”4H-SiC单晶片，2010年发布6英寸SiC单晶衬底试样，并于2013年推出商品化6英寸SiC单晶衬底，2015年在ICSCＲM国际会议上展示了其8英寸SiC单晶衬底试样，于2019年10月在纽约州立理工学院奥尔巴尼分校完成了首批8英寸SiC晶圆样品的制备。

目前国内已实现了6英寸SiC衬底的量产，山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能等公司通过与山东大学、中科院物理所和中科院半导体所等科研院所的“产学研用”合作，均已完成6英寸SiC衬底的研发，天科合达已于2020年启动8英寸SiC单晶衬底的研发工作，我国在SiC单晶衬底技术上已初步形成自主技术体系。