近期，中科院物理研究所在宽禁带半导体领域取得重要进展，研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体。

SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达约45%。进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。

2017年，陈小龙、博士生杨乃吉、副研究员李辉、主任工程师王文军等开始8英寸SiC晶体的研究，掌握了8英寸生长室温场分布和高温气相输运特点，以6英寸SiC为籽晶，设计了有利于SiC扩径生长的装置，解决了扩径生长过程中籽晶边缘多晶形核问题；设计了新型生长装置，提高了原料输运效率；通过多次迭代，逐步扩大SiC晶体的尺寸；通过改进退火工艺，减小了晶体中的应力从而抑制了晶体开裂。2021年10月在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。

近期8英寸SiC导电单晶的研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的重要进展，研发成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力，促进我国宽禁带半导体产业的快速发展。