SiC相对于Si器件的优势
SiC相对于Si器件的优势：
•SiC的宽带隙允许更薄的外延层来阻挡给定的电压
•较薄的漂移层降低了整体器件电阻
•更高的电子饱和速度允许更高频率的运行
•SiC的高导热性允许器件在>200C的高温下运行
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