SiC外延生长：常见元素

衬底：

•用于电力电子的4H多型

•当前晶圆直径150mm和200mm

•定向4°离轴

•双面抛光

•在晶片的硅面上生长的外延

•需要对硅表面进行仔细的化学机械抛光(cmp)以减少缺陷

生长参数：

•温度~1650oC

•压力~50-100mbar

•硅源

•碳源

•掺杂气体

•C/Si比率——用于掺杂控制

•涂层石墨

外延片表征：

•厚度-目标和均匀度

•掺杂-目标和均匀度

•缺陷（表面缺陷、位错缺陷）

•晶圆形状（弓形等）