目前以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸，硅晶圆的生产经验是否可以助力SiC晶圆向更大面积发展，与硅晶圆相比，SiC晶圆的生产难点又在哪里？

 

包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→设计→制造→封装。其中，衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用；外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层，这些外延层是制造半导体芯片的重要原料，影响器件的基本性能；设计包括器件设计和集成电路设计，其中器件设计包括半导体器件的结构、材料，与外延相关性很大；制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路；封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。

 

SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底制造困难。数据显示，衬底成本大约占晶片加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底成本高昂，生产工艺还复杂，与硅相比，SiC很难处理。

 

据业内相关人士介绍：“在功率半导体制造的离子注入、薄膜沉积、介质刻蚀、金属化等环节，8英寸碳化硅与6英寸SiC的差距不大。8英寸SiC的制造难点主要集中在衬底生长、衬底切割加工、氧化工艺。”