碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。

　　它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。

　　其优点是：

　　(1) 碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。

　　(2) 碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。

　　(3) 碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。

　　(4) 碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600ºC的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150ºC.

　　(5) 碳化硅具有很高的抗辐照能力。

　　(6) 碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。

　　(7) 碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。

　　(8) 碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。