随着碳化硅产品应用越来越广泛，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件，如德国的英飞凌半导体公司，美国的Cree公司、通用电子公司、摩托罗拉公司，日本的丰田、东芝、日立、富士等公司。（国内从事碳化硅生产晶体研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、西安理工大学、中国电子科技集团第四十六所等）另外设备厂商也开始支持SiC器件的生产。每年的黑碳化硅、绿碳化硅及相关材料国际会议ICSCRM来自全球的专家聚集在一起探讨有关碳化硅最新的技术动态。
  目前市场上也已有光电子、功率和微波等三类碳化硅加工器件提供商用，如PIN二极管、肖特基二极管、MESFET、MOSFET、晶闸管、SiC基发光二极管等。SiC器件的蓬勃发展迫切需要价廉、大直径、高品质的SiC晶片，以降低器件的价格，提高器件的性能。但由于SiC在正常的工程条件下无液相存在，理论计算表明在压力超过1010Pa、温度超过2830℃的条件下，理想化学配比的SiC熔体才可能存在，故从商业的角度考虑SiC不可能像Si材料一样从熔体中提拉制备。目前世界上制备SiC体单晶的标准方法是籽晶升华法。其原理是采用感应或电阻加热的方式对准密闭的坩埚系统加热，将作为生长源的固态混合物置于温度较高的坩埚底部，籽晶固定在温度较低的坩埚顶部，生长源在低压高温下升华分解产生气态物质，在由生长源与籽晶之间存在的温度梯度而形成的压力梯度的驱动下，这些气态物质自然输运到低温的籽晶位置，并由于超饱和度的产生而结晶生长。
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