众所周知，碳化硅原料作为一种重要的宽禁带半导体材料，由于其本身所具有的高热导率，饱和电子漂移速率大和击穿场强高的特点，目前已被广泛应用于制备高温、高频及大功率电子元器件。

　　根据有关中科院物理研究所专家最新研究成果显示，4H碳化硅晶体在2.5-5.6μm中红外波段具有较高透过率。通过实际测试确定了4H碳化硅晶体的相位匹配条件。

　　在此之前，国际上还尚未出现有关碳化硅微粉晶体非线性光学频率变化的实验报道。中科院物理研究所的专家与教授们通过合作实验，首次获得了波长覆盖3.9-5.6μm的宽谱中红外激光输出。因此此项实验结果的获得，有望进一步实现大功率电子元器件的中红外激光输出。