碳化硅导通损耗和开关损耗优势明显。就电动汽车逆变器而言，功率器件是核心能量转换单元，其损耗包含两部分，导通损耗Econ和开关损耗Esw。

碳化硅在电流比较小也就是轻载的工况下导通损耗优势是比较明显的，再结合轻载工况开关损耗占比更大（碳化硅开关损耗也低），这也印证了为什么碳化硅更适合城市工况。因此逆变器应用碳化硅MOS体现在效率Map上就是高效区面积比较大。

另外，碳化硅MOS打开时双向导通，又规避了IGBT模块在续流时，FRD的导通压降比IGBT大的问题，进一步降低导通损耗。

碳化硅可降低整车能耗。根据海外机构试验数据，按照WLTC工况（更接近实际城市工况）续航能力的提升，基于750VIGBT模块及1200V碳化硅模块仿真显示，400V母线电压下，由750VIGBT模块替换为1200V碳化硅模块，整车能耗降低6.9%；如果电压提升至800V，整车能耗将进一步降低7.6%。

碳化硅除了有效率优势外，还具有以下优势：

相同电压、电流等级情况下，碳化硅MOS芯片面积比IGBT芯片要小，设计出的功率模块功率密度更大，更小巧；

碳化硅芯片耐更高的温度，理论上远超175℃；

高频电源设计能够缩小系统储能器件的体积，例如大电感及大容量电容等。