碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。

晶片的表面会有损伤，损伤源于本来晶体生长的缺陷、前面加工步骤中的破坏。对于局部损伤，世界上有四种方法：不管、更换、修补、去除；对于碳化硅表面的损伤层，不管不顾肯定不行，因为会影响器件的成品率；更换晶片，不就是砸自己的饭碗嘛；修补其实是再次生长，现在没有低成本的方案；而去除是一条还算可行的，用一定的材料废弃，来提高总体材料的质量。

SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：

机械抛光，简单但会残留划痕，适用于初抛；

化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；

氢气刻蚀，设备复杂，常用于HTCVD过程；

等离子辅助抛光，设备复杂，不常用。