碳化硅产业链主要分为衬底制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺不同，无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。外延生长作为承上启下的重要环节，是产业链的中坚力量。

碳化硅外延的成品为外延片，即在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。为了满足宽禁带半导体器件在不同应用领域对电阻等参数的特定要求，其制备需在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，因此外延质量的好坏将会影响碳化硅器件的性能。

目前碳化硅衬底上常见外延有碳化硅同质外延和氮化镓异质外延，前者适用于高压性能的功率器件，后者适用于高频性能的射频器件。