2018年5月28-6月2日参加反应烧结碳化硅陶瓷工业展，对于同行业来说碳化硅陶瓷可能不陌生，但是对于上游原材料企业需要了解一下碳化硅陶瓷的烧结工艺，满足客户需求，下面是碳化硅陶瓷的烧结工艺。
碳化硅陶瓷以其优异的抗热震，耐高温，耐磨损，耐热冲击，高热导，高硬度，抗氧化和耐化学腐蚀以及热稳定性好等特性，已经在石油，化学，汽车，机械和宇航等工业领域中获得大量应用。例如，碳化硅可以用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、涡轮增压器转子、燃气涡轮机叶片、反射屏和火箭燃烧室内衬等。
SIC是强共价键结合的化合物。因而，烧结时的扩散速率非常低。即使在2100℃的高温下，C和SI的自扩散系数也仅为 所以， 碳化硅很难烧结，必须借助添加剂或外部压力或渗硅反应才能实现致密化。目前，制备高密度碳化硅陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结等。
通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的碳化硅部件。因此， 被认为是SIC陶瓷最有前途的烧结方法。
采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SIC部件，而且一次热压烧结过程所制备的产品数量很小，因而不利于商业化生产。
热等静压工艺可以获得复杂形状的SIC制品，但必须对素坏进行包封，所以， 也很难实现工业化生产。
反应烧结工艺可以制备出复杂形状的SIC部件，而且其烧结温度较低。但是，反应烧结SIC陶瓷的高温性能较差。
一般来说，无压烧结SIC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SIC, 但是逊色于热压烧结和热等静压烧结的SIC。