近年来，我国逐步实现了碳化硅功率器件的国产化，作为有较广开展潜力的新式半导体材料的碳化硅，受到越来越多的企业和科研机构的认可，并通过相关企业的实验验证。
  众所周知，目前市场上所采用的功率模块中的IGBT芯片等大多数都是采用硅材料制造的，与Si相比，碳化硅材料的禁带宽度是Si的3-5倍，临界击穿电场强度更是Si的10倍以上，电子饱和速率也是Si的2倍。
  因而与传统的Si功率器件相比，利用碳化硅微粉材料制作而成的功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。
  同时，由于采用SIC功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积;提升变流器效率;提高开关频率，缩小滤波器体积;确保高温环境下运行的可靠性;还易于实现高电压大功率的设计。因此碳化硅功率器件被越来越多地广泛用于节能、高频和高温等三大电力电子系统领域。