碳化硅陶瓷制作方法主要有反应烧结法、无压烧结、热压烧结、热等静压烧结。

  碳化硅的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结碳化硅通常含有8%的游离Si。因此，为保证渗Si的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中α-SiC和C的含量，α-SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的碳化硅陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结碳化硅相对较低。另一方面，碳化硅陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结碳化硅陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有碳化硅陶瓷强度均有所提高;当温度超过1400℃时，反应烧结碳化硅陶瓷抗弯强度急剧下降。(这是由于烧结体中含有一定量的游离Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致)对于无压烧结和热等静压烧结的碳化硅陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。

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