碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物，属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。

尽管是电子产品中使用最广泛的半导体，但硅开始显示出一些局限性，尤其是在高功率应用中。这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。当带隙很高时，它使用的电子设备可以更小、运行得更快、更可靠。它还可以在比其他半导体更高的温度、电压和频率下运行。硅的带隙约为1.12eV，而碳化硅的带隙值约为3.26eV的近三倍。