为什么碳化硅能承受这么高的电压？
功率器件，尤其是MOSFET，必须能够处理极高的电压。由于电场的介电击穿强度比硅高约十倍，SiC可以达到非常高的击穿电压，从600V到几千伏。SiC可以使用比硅更高的掺杂浓度，并且漂移层可以做得非常薄。漂移层越薄，其电阻越低。理论上，给定高电压，单位面积漂移层的电阻可以降低到硅的1/300。
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