为什么SiC在高频下的表现优于IGBT？
在大功率应用中，过去主要使用IGBT和双极晶体管，目的是降低高击穿电压下出现的导通电阻。然而，这些设备提供了显着的开关损耗，导致发热问题限制了它们在高频下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基势垒二极管和MOSFET等器件，实现高电压、低导通电阻和快速运行。
下一篇：碳化硅如何实现比硅更好的热管理？上一篇： 为什么碳化硅能承受这么高的电压？
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 白刚玉段砂用于精密铸造品质得以体现
- 绿碳化硅微粉的特点
- 国内碳化硅功率器件离正式量产还有一段距离
- 国内碳化硅外延的难点
- 国内碳化硅衬底的难点
- 碳化硅功率器件的性能优势
- 三种生长SiC单晶用SiC粉体制备方法的优缺点
- 碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封装技术和散热技术介绍
最新资讯文章
您的浏览历史
