1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的Ｂ和Ｃ，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度碳化硅陶瓷。目前，该工艺已成为制备碳化硅陶瓷的主要方法。美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1.732是致密化的热力学条件，当同时添加Ｂ和Ｃ后，Ｂ固溶到SiC中，使晶界能降低，Ｃ把SiC粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此Ｂ和Ｃ的添加为ＳｉＣ的致密化创造了热力学方面的有利条件。以α－SiC为原料，同时添加Ｂ和Ｃ，也同样可实现SiC的致密烧结。
  研究表明：单独使用Ｂ和Ｃ作添加剂，无助于碳化硅陶瓷充分致密。只有同时添加Ｂ和Ｃ时，才能实现碳化硅陶瓷的高密度化。为了碳化硅的致密烧结，碳化硅粉料的比表面积应在10㎡/g以上，且氧含量尽可能低。Ｂ的添加量在0.5％左右，Ｃ的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常Ｃ的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。