用金属硅合成碳化硅
反应式：Si+C=SiC
采用高纯度金属硅粉和高纯度碳粉（石墨粉）、在真空或保护气氛下加热合成。在1150~1250℃元素硅（Si)与碳（C)反应生成β-SiC，具有非晶态结构，到1350℃开始有β-SiC结晶。在2000℃生成β-SiC结晶。高于2000℃可生成α-SiC。
用这种方法生产的碳化硅，虽然成本高，但可生产出高纯度的碳化硅材料。
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此文关键字：碳化硅
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