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[常见问题解答]碳化硅晶片去除表面损伤的4种常用方法[ 2022-05-25 15:30 ]

碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。晶片的表面会有损伤，损伤源于本来晶体生长的缺陷、前面加工步骤中的破坏。对于局部损伤，世界上有四种方法：不管、更换、修补、去除；对于碳化硅表面的损伤层，不管不顾肯定不行，因为会影响器件的成品率；更换晶片，不就是砸自己的饭碗嘛；修补其实是再次生长，现在没有低成本的方案；而去除是一条还算可行的，用一定的材料废弃，来提高总体材料

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[金蒙新材料百科]碳化硅晶片生产流程及清洗技术[ 2022-03-17 14:52 ]

碳化硅晶片经过清洗可以有效去除表面沾污和杂质，同时保证不引入新的杂质，从而使最终的碳化硅晶片产品满足半导体下游客户的要求。传统的硅衬底材料使用RCA标准清洗方法来去除材料表面的污染，但是碳化硅是一种极性晶体，表面带有一定的电荷，吸附污染物后变得更加难以清洗。

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[金蒙新材料百科]低翘曲度碳化硅晶体切割技术难点[ 2022-03-16 15:44 ]

碳化硅的莫氏硬度为9.5，硬度与金刚石接近，只能用金刚石材料进行切割，切割难度大，保证切割过程稳定获得低翘曲度的晶片是技术难点之一。为了达到下游外延开盒即用的质量水平，需要对碳化硅衬底表面进行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并达到严苛的金属、颗粒控制要求。化学机械抛光属于化学作用和机械作用相结合的技术，碳化硅晶片表面首先与抛光液中的氧化剂发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层，然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，在化学作用和机械作用的交替进行的过程中完成表面抛光，过程较为

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[行业资讯]碳化硅半导体纳入国家“十四五”规划重点支持领域[ 2022-03-11 15:24 ]

我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。晶片（衬底）作为碳化硅半导体产业链的基础材料，具有较高的应用前景和产业价值，在我国半导体产业发展中具有重要的战略地位。碳化硅晶片产品尺寸越大、技术参数水平越高，其技术优势越明显，长期以来，碳化硅晶片的核心技术和市场基本被欧美发达国家垄断，这无疑突出了一个事实，即

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[行业资讯]晶盛机电年产40万片碳化硅衬底晶片生产项目3月开工[ 2022-03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛机电股份有限公司总投资50亿元建设的“碳化硅衬底晶片生产项目”落户宁夏银川。其中，一期预计3月开工建设，投资总额33.6亿元，一期建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片。晶盛机电主要围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开展业务，具备全球最大的700Kg蓝宝石生长能力。据2月7日募资投建碳化硅衬底晶片生产基地项目和年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目的公告披露，晶盛机电已组建一条从原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试产线，6英寸碳化硅晶片已获得客户验

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[行业资讯]碳化硅电力电子器件发展中的难题分析[ 2017-05-18 16:25 ]

1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷，在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前，大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2 的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体，微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工艺效率低。碳化硅的气相同质外延一般要在1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过1800℃，因而生长速率较低。液相外延温度较低、速率较高，但产量较低。 3.掺杂工艺有特殊要求。如用扩散

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[金蒙新材料百科]碳化硅晶片简单介绍[ 2016-01-28 15:59 ]

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。

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[行业资讯]碳化硅晶片的发展之路[ 2015-01-15 16:00 ]

早年，全球市场上碳化硅晶片价格十分昂贵，一片2英寸碳化硅晶片的国际市场价格曾高达500美元(2006年)，但仍供不应求。高昂的原材料成本占碳化硅半导体器件价格的10%以上，碳化硅晶片价格已成为第三代半导体产业发展的瓶颈。

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[行业资讯]国产6英寸碳化硅晶片已实现量产[ 2015-01-15 15:31 ]

金蒙新材料公司从相关渠道获悉，天科合达与中科院专家合作研究，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底，并且形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。

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[行业资讯]碳化硅晶片的市场状况[ 2014-11-24 16:12 ]

早在上个世纪十代初，碳化硅半导体在物理、电子等方面的性能远优于硅半导体这一特征便被广泛认知。经过近五十的发展，硅半导体产业已成为全球每近万亿美元的巨型产业，而以碳化硅(C)为代表的第三代半导体产业还正处于起步阶段，2005全球C半导体产业规模为10亿美元。这是因为在上个世纪十代，单晶硅生长技术已经渐趋成熟，而掌握碳化硅晶体生长技术只是十代末期之事。经过数十不懈的努力，目前，全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术。在产业化方面，只有以美国Cree公司为代表的少数几家公司能够提供碳化硅晶片，国内的碳化硅晶片的需求全赖于进口。

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[行业资讯]碳化硅制品远景一片光明[ 2014-08-30 08:45 ]

碳化硅半导体能应对“极点环境”，据称，碳化硅晶片乃至能够承受住金星或太阳邻近的热度。

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