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[金蒙新材料动态]清华团队合作提出碳化硅气凝胶自蔓延制备新方法[ 2024-08-29 15:26 ]
 碳化硅作为典型的非氧化物高技术陶瓷,其陶瓷产业的发展高度依赖高端碳化硅粉体原料与产品的研发及规模生产。其中,碳化硅气凝胶作为优异的高温热防护材料,以高熔点、超轻密度、极低热导率及卓越的热机械性能,备受全球科研人员瞩目。目前,已有的碳化硅气凝胶合成技术涵盖溶胶凝胶法、碳热还原法、脉冲激光沉积法、化学气相沉积法、冷冻成型法、3D 打印技术等。借助这些技术,研究人员能够成功制备出具有多尺度可调控微结构、卓越循环压缩特性、高拉伸性以及低损伤敏感性等出色性能的碳化硅气凝胶。然而,这些方法普遍存在工艺复杂、生产周期
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[常见问题解答]碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法[ 2022-09-07 15:41 ]
生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中,气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体;液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体;固相法中的改进自蔓延高温合成法是目前使用范围最广,合成工艺最成熟的SiC粉体的制备方法。 一、气相法 1.化学气相沉积法(CVD法) CVD法是通过气体的高温反应得到超细、高纯的SiC粉体,其中Si源一般选择SiH4和SiCl4等,C源一般选择CH4、C2H2和CCl4等
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[常见问题解答]碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用[ 2022-09-06 16:39 ]
碳化硅晶圆的生产,是先要制备碳化硅衬底,目前其制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法,其中以改进Lely法为主流。 Lely法,又称升华法,其基本原理是:在空心圆筒状石墨坩埚中(最外层石墨坩埚,内置多孔石墨环),将具有工业级纯度的碳化硅粉料投入坩埚与多孔石墨环之间加热到2500℃,碳化硅在此温度下分解与升华,产生一系列气相物质比如硅单晶、Si2C和SiC2等。由于坩埚内壁与多孔石墨环之间存在温度梯度,这些气相物质在多孔石墨环内壁随机生成晶核。但Lely法产率低,晶核难以控制,而且会形成不同结构,尺寸也
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[金蒙新材料百科]碳化硅半导体产业链[ 2022-05-13 16:42 ]
碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。 1碳化硅高纯粉料 碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。 碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法;气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导
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[金蒙新材料百科]碳化硅单晶制备技术的难点[ 2022-02-15 10:16 ]
碳化硅单晶制备技术包括PVT法(物理气相传输法)、溶液法和高温气相化学沉积法等,目前商用碳化硅单晶生长均采用PVT法。PVT法制备碳化硅单晶的难度在于: ①碳化硅单晶生长设备设计与制造技术。碳化硅长晶炉是晶体制备的载体,也是晶体生长核心技术中的热场和工艺的重要组成部分。针对不同尺寸、不同导电性能的碳化硅单晶衬底,碳化硅长晶炉需要实现高真空度、低真空漏率等各项性能指标,为高质量晶体生长提供适合的热场实现条件。 ②碳化硅粉料合成过程中的环境杂质多,难以获得高纯度的粉料;作为反应源的硅粉和碳粉反应不完全易造成
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[金蒙新材料百科]碳化硅陶瓷注浆成型结合反应烧结制备技术[ 2022-01-17 15:39 ]
注浆成型技术多用于传统陶瓷的制备,目前也在碳化硅窑具、喷嘴、热交换器等复杂结构产品的制备过程中得到越来越多的应用。 注浆成型结合反应烧结工艺流程:将碳化硅粉、烧结助剂、去离子水、分散剂、黏结剂等混合制成碳化硅浆料,注入多孔模具,通过毛细管力将浆料中的水分逐渐吸出,沿模具内壁向内固化成坯体;当坯体厚度达到设定值后,倒出剩余浆料,一定时间后脱模得到碳化硅坯体,再经过干燥、修坯、烧结等工艺制得碳化硅陶瓷成品。 注浆成型工艺操作简单、灵活性强、成本低,适于制造复杂结构的陶瓷产品。
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[行业资讯]中科钢研高纯碳化硅项目及高端装备项目开工[ 2021-12-21 10:07 ]
12月18日,中科钢研高纯碳化硅粉和智能高端装备制造项目开工仪式在山东菏泽举行。 据悉,集中开工的两个项目采用国际一流标准,建设智能高端装备和高纯碳化硅粉新材料两个“总部+生产+研发”三合一项目,投资额均超过10亿元。早前披露信息显示,2018年开工总投资10亿元的山东莱西中科钢研半导体项目预计年内投产,全部达产可实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片、5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。菏泽项目无疑是该项目原料就近供给的有力支撑。 中科钢研拥有先进的4/8英寸升华法碳
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[金蒙新材料百科]碳化硅陶瓷的反应烧结原理[ 2018-10-05 09:11 ]
  反应烧结碳化硅制品       我们为大家列举了碳化硅陶瓷的用途,很多客户好奇:这到底是通过什么工艺制造出来的呢?可以在这么多的领域中使用,下面为大家介绍碳化硅陶瓷的反应烧结原理。       反应结合碳化硅是指素坯中含有碳化硅和碳粉, 在反应过程中碳和硅反应生成新的碳化硅相与原碳化硅相结合, 从而形成碳化硅复合材料其制备工艺如下将碳化硅粉、碳粉和有机粘结剂混合, 经过成型、干燥、脱粘, 最后渗硅而制得。这种烧结的碳化硅密度可以到达3.
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[金蒙新材料动态]美丽中国 、美丽金蒙[ 2018-06-27 13:39 ]
金蒙新材的C2车间3月份开始精益改进,对于精益我们金蒙公司每个员工都有一颗认同的心和坚持到底的心,从刚开始学习精益的不理解和不认同,因为每一次的改变都要付出太多的人力和物力,尤其精益过程中对设备的整改,很多设备不能正常运行,导致订单不能按时交付,所以更加不理解,通过3个月改进,C2车间设备基本改进完成,运行中还是会出现这样那样的故障但生产过程中的碳化硅粉尘确越来越少了,精益改进3个月了金蒙都有很大的变化,现在走进金蒙的厂区,就像走进花园,办公楼前后的月季花正开的娇艳,走进金蒙车间,就像走进无尘化生产车间,地面整洁,
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[金蒙新材料百科]碳化硅陶瓷的生产工艺[ 2018-04-05 17:33 ]
碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态分为固相合成法和液相合成法。 固相合成法 固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊法、竖式炉法和高温转炉法。阿奇逊法首先由Acheson发明,是在Acheson电炉中,石英砂中的二氧化硅被碳所还原制得SiC,实质是高温强电场作用下的电化学反应,己有上百年大规模工业化生产的历史,这种工艺得到的SiC颗粒较粗。此外,该工艺耗电量大,其中用于生产,为热损失。   20世纪70年代发展起来的法对古典Acheson法进行了改进,80年代出现了
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[员工分享]碳化硅的多方用途[ 2018-01-12 15:37 ]
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SIC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。 山东金蒙新材料16年生产经验,欢迎您的来电:4001149319
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[金蒙新材料动态]碳化硅可以媲美钻石的材料[ 2017-11-04 08:30 ]
 碳化硅俗称金刚砂,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。  自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒,并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中,在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。  如今碳化硅被广泛用于制造高温、高压半导体。通过Lely法能生长出大块的碳化硅单晶。人造莫桑石的宝石就是通过切割由Lely法制备的大块碳化硅
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[金蒙新材料百科]特种陶瓷材料[ 2017-10-10 16:40 ]
特种陶瓷材料性能由两种因素决定。首先物质结构,主要化学键性质晶体结构。它们决定陶瓷材料性能,如耐高温性、半导体性及绝缘性等。其次显微组织,包括分布、晶粒大小、形状、气孔大小分布、杂质、缺陷等。普通陶瓷用粘土、长石、石英为原料,经配制、烧结制成。这类陶瓷质地坚硬、不会氧化生锈、耐腐蚀、不导电、能耐一定高温、加工成型性好、成本低,但强度较低。一般最高使用温度不超过1200摄氏度,这类陶瓷产量大,种类多,广泛用于电气、化工等行业。 碳化硅陶瓷用碳化硅粉,用粉末冶金法经反应烧结或热压烧结工艺制成。碳化硅陶瓷最大特点高
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[金蒙新材料百科]碳化硅是应用最广泛、最经济的一种材料[ 2017-10-05 16:18 ]
 众所周知碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等良好的物理性能和化学性能,常用作耐磨材料、结构陶瓷、耐火材料和金属冶金等传统领域中。正由于碳化硅具有高的高温强度、高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性和特殊的物理性能等特点,广泛应用于陶瓷材料,耐火材料和金属冶金等领域中。同时碳化硅超细微粉也是一种很好的光伏材料,常用作太阳能,半导体材料或新型节能材料的制作中。碳化硅除作磨料用外,还有很多其他用途。例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍
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[金蒙新材料百科]碳化硅国内生产工艺现状[ 2017-10-03 08:39 ]
由于碳化硅在自然界中的存在极少,因此,碳化硅的生产主要由人工合成。黑碳化硅和绿碳化硅的主要原料略有不同。其中黑碳化硅的原料是:石英砂、石油焦和优质硅石。绿碳化硅的原料是石油焦和优质硅石,同时以食盐做添加剂。在温度为2000~2500℃的电炉内合成,具体方程式为:SiO2+3C→SiC+2CO-46.8KJ(11.20kcal)。然后炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的碳化硅粉。中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。
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[金蒙新材料百科]碳化硅粉末的合成方法[ 2015-12-02 15:18 ]
碳化硅在地球上几乎不存在,仅在陨石中有所发现,因此,工业上应用的碳化硅粉末都为人工合成。目前,合成碳化硅粉末的主要方法有:
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[金蒙新材料百科]碳化硅的用途及性质[ 2015-11-08 17:11 ]
碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
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[常见问题解答]有用的碳化硅粉[ 2015-09-16 17:55 ]
碳化硅微粉尘符合tj36-79中“其他粉尘”条件,即游离二氧化硅含量在10%以下,因此浓度标准可定为10mg/m3。车间空气中生产性粉尘最高容许浓度(tj36-79) 有害物名称 最高容许浓度(mg/m3),含有10%以上游离二氧化硅的粉尘(石英,石英岩等)① 2.0,石粉尘及含有10%以上石棉的粉尘 2.0,含有10%以下的游离二氧化硅的滑石粉尘 4.0,玻璃棉及矿渣棉粉尘 5.0,含有10%以下游离二氧化硅的水泥粉尘 6.0,烟草及茶叶粉尘 3.0,含有10%以下游离二氧化硅的煤尘 10,其他粉尘② 10,铝,氧化铝,铝合金粉尘 4.0,有80%以上游离二氧化硅的生产性粉尘,宜不超过1 mg/m3。其他粉尘系指游离二氧化硅含量在10%以下,不含有毒物质的矿物性和动植物性粉尘。
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[金蒙新材料百科]黑绿碳化硅微粉生产工艺[ 2015-03-01 16:49 ]
JZFZ碳化硅微粉生产设备是指利用JZFZ设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。目前碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主,由于碳化硅微粉主要用于磨料行业,所以对微粉的分级有特殊要求,微粉中不能有大颗粒出现,所以为达国际和国内产品要求,一般生产都采用JZF分级设备来进行高精分级。
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[金蒙新材料百科]碳化硅环氧树脂复合材料导热性能分析[ 2015-02-25 16:21 ]
纳米级碳化硅粉体,形成接触导热链,且更容易与高分子链接枝,形成Si-O-Si链导热骨架做为主要导热通路,大幅度提高复合材料的导热率,同时不降低复合材料的机械性能!纳米碳化硅粉体体积比为13.8%(折合成质量比不到30%)就大幅度提高环氧树脂导热率到4.1瓦/米.开。
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