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    SiC在炼钢中的应用[ 11-29 15:10 ]
    SiC应用于脱氧合金化 SiC作为脱氧剂加入钢水后生成低熔点的SiO2和CO气体,CO上浮过程中起搅拌钢液的作用,利于脱氧产物扩散和夹渣物上浮,使其反应更为彻底,脱氧效果好于硅铁。根据出钢前终点碳含量和硅含量,可确定SiC和硅铁的添加量。SiC具有较好的增碳效果,冶炼碳含量较高的钢种时,SiC除了可以增碳外,更具有特殊的作用,尤其是SiC中的S、N、H元素含量较低,有利于提高钢液质量,是其他增碳剂如石油焦、无烟煤无法相比的。 SiC作炉外精炼脱氧剂 SiC可以作为炉外精炼脱氧剂。精炼炉脱氧和电炉还原期脱氧
    碳化硅的神奇之处,低品质也有大用处![ 11-29 15:07 ]
    5G通信、新能源汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求,大力发展碳化硅产业,可引领带动原材料与设备两个千亿级产业。尤其是今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,这无疑会进一步促进碳化硅产业的发展。 众所周知,碳化硅有四大应用,即半导体、陶瓷、耐火材料、磨具!其中半导体对碳化硅的品质要求是最高的,工艺也是最难的。陶瓷、耐火材料、磨具对碳化硅的纯度、粒度、形貌等也有一定的品质要求
    第三代半导体材料发展新方向[ 11-29 15:02 ]
    众所周知,采用第三代半导体材料的目的是为了提高产品效率和功率密度。大功率产品主要是Si IGBT向SiC MOSFET发展,目前在车载应用方面已经开始全面替换,其效率的提升以及重量的减轻直接提高了电动车的续航能力。而中小功率产品是Si MOSFET向GaN HEMT发展,主要应用是数据中心电源及充电适配器。 数据中心消耗的能源大概占总发电量的10%左右,采用第三代半导体材料GaN设计的电源能够使效率提高3到5个点,从而节省全国千分之三到千分之五的电力消耗。这对于碳中和有非常重要的意义。充电适配器方面,采用氮化镓可
    GaN和SiC材料的技术难点和特点[ 11-29 14:59 ]
    目前,第三代半导体材料GaN和SiC已经得到了市场认可和高度关注。在功率半导体的范畴,业内人士认为,除了LED发光和射频,第三代半导体材料SiC的技术难点主要在于衬底缺陷的控制。当前低缺陷密度的衬底材料主要是欧美及日本厂商生产,国内想要突破还需要相当长的一段时间。 同时第三代半导体材料SiC工艺控制难度高、产品批次性波动大导致良率偏低以及主要材料供应被垄断,甚至推导到市场价格一直居高不下,目前只限定在部分应用市场。但相比SiC更低损耗、更高效率以及高电压耐高温等一系列自身特点而言,第三代半导体材料SiC的应用已经
    初识陶瓷耐磨材料--碳化硅[ 11-29 14:54 ]
    目前常用的耐磨材料主要有金属耐磨材料、高分子耐磨材料、陶瓷耐磨材料等。金属耐磨材料具有较高的强度、较高的硬度、较高的韧性和较高的耐磨损性等一系列优异的特性,经历了高锰钢、普通白口铸铁、镍硬铸铁到高铬铸铁的几个阶段。到目前为止,性能最优异的有耐磨钢、耐磨铸铁两大类。其中耐磨钢除了传统的奥氏体锰钢及改性高锰钢、中锰钢以外,根据碳含量的不同又通常分为中碳、中高碳、高碳合金耐磨钢;根据合金元素含量的不同又分为低合金、中合金及高合金耐磨钢;根据组织结构的不同又分为奥氏体、贝氏体、马氏体耐磨钢。耐磨铸铁中的普通白口铸铁、低碳白
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