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- 硼、碳和铝烧结助剂对SiC陶瓷烧结的影响[ 12-30 14:42 ]
- 研究发现，SiC陶瓷烧结时可加入B、C、Al来实现致密化，B系与C系烧结助剂的添加能够降低SiC晶界能与表面能的值，增强扩散的驱动力，而Al系烧结助剂可以以固溶的方式活化晶格，促进致密化进行。 对于无压或热压烧结SiC，在不使用烧结助剂情况下基本难以实现致密烧结，但烧结助剂加入不当又会使材料性能恶化。SiC陶瓷的力学性能受游离C的分布影响很大，而B的分布又会使游离C的晶粒由等轴状生长为长柱状，起到界间强化的作用。另外，温度的升高会促进基体晶粒的多边形化，但过大的基体晶粒尺寸又会对晶界处游离C的生长产生抑制作用
- 氟化物烧结助剂对SiC陶瓷烧结的影响[ 12-30 14:39 ]
- 有研究表明，SiC陶瓷样品的密度与热导率随YF3的加入显示先增后减的变化，当加入5%的YF3时，密度与热导率均达到最大。YF3作为烧结助剂可以提高SiC陶瓷的致密度和热导率主要是由于YF3可以与SiO2反应生成第二相，同时达到除氧的目的，净化SiC的晶格。而生成的液相也可以促进烧结的进行，降低烧结温度。 密度与热导率出现先增后减的变化，原因可能有如下两点: 第一，添加适量烧结助剂形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量过少，不足以形成足够的液相，而过量的YF3又会产生过多液相，粘度增加，均不利于
- 阻碍SiC陶瓷烧结的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的构成单元为Si与C原子比为1:1的正四面体，在SiC晶格中，Si与C之间的平均键能为300kJ/mol，共价键与离子键比值约为4:1，这使得其难以烧结成致密陶瓷。阻碍SiC陶瓷烧结的因素有以下两个方面： ①热力学方面 SiC的晶界能较高，粉体颗粒表面能相对较低，SiC陶瓷烧结推动力低，烧结难度增大。目前可通过引入烧结助剂、选用纳米级原料细粉及施加外部压力的方式来促进烧结。 ②动力学方面 SiC晶格原子间的键能使得物质迁移所需能量高，物质难以扩散，而蒸发—凝聚传质至少需要蒸
- 中科钢研高纯碳化硅项目及高端装备项目开工[ 12-21 10:07 ]
- 12月18日，中科钢研高纯碳化硅粉和智能高端装备制造项目开工仪式在山东菏泽举行。 据悉，集中开工的两个项目采用国际一流标准，建设智能高端装备和高纯碳化硅粉新材料两个“总部+生产+研发”三合一项目，投资额均超过10亿元。早前披露信息显示，2018年开工总投资10亿元的山东莱西中科钢研半导体项目预计年内投产，全部达产可实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片、5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。菏泽项目无疑是该项目原料就近供给的有力支撑。 中科钢研拥有先进的4／8英寸升华法碳
- SiC反向恢复时间与Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]
- SiCMOSFET与其硅对应物一样，具有内部体二极管。体二极管提供的主要限制之一是不希望的反向恢复行为，当二极管关断同时承载正正向电流时会发生这种情况。因此，反向恢复时间(trr)成为定义MOSFET特性的重要指标。图2显示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之间的比较。可以看出，SiCMOSFET的体二极管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不计，能量损失Err大大降低。
