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碳化硅肖特基二极管的主要优势和应用

文章出处:网责任编辑:作者:人气:-发表时间:2019-08-30 16:44:00【
  碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电流,具备更好的耐高压能力。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数,随着温度的上升电阻也逐渐上升,这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联实用,增加了系统的安全性和可靠性。在器件从正向导通向反向阻断转换时,几乎没有反向恢复电流,反向恢复时间小于20ns,甚至600V10A的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在10ns以内。因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率,在相同频率下具有更高的效率。
 
  碳化硅肖特基二极管的主要特点和优势,可概况如下:
1.几乎无开关损耗;
2.更高的开关频率; 
3.更高的效率;
4.更高的工作温度; 
5.正的温度系数,适合于并联工作; 
6.开关特性几乎与温度无关。
 
  正由于碳化硅肖特基二极管具有以上这些特性,被广泛应用于开关电源、功率因素校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、光伏逆变器等中高功率领域。在PFC电路中用碳化硅SBD取代原来的硅FRD,可使电路工作在300kHz以上,效率基本保持不变,而相比下使用硅FRD的电路在100kHz以上的效率急剧下降。随着工作频率的提高,电感等无源原件的体积相应下降,整个电路板的体积下降30%以上。可显著减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 

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