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    铝碳化硅(AlSiC)材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]
    铝碳化硅(AlSiC)材料具有以下性能特性: 1)AlSiC具有高导热率(170~200W/mK)和可调的热膨胀系数(6.5~9.5×10-6/K),可提升器件散热性能的同时,其热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配,能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上; 2)AlSiC是复合材料,其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整,因此电子产品可按用户的具体要求而灵活地设计,这是传统的金属材料或陶瓷材料无法作到的; 3)AlSiC的密度与铝相当,比铜
    铝碳化硅AlSiC(SiCp/Al)材料制备方法与工艺的研究[ 01-22 09:11 ]
    AlSiC(SiCp/Al)材料虽然具有优异的力学与物理特性,但是实现高体积分数SiC的SiCp/Al材料的制备一直是制约该行业发展的难题。如何实现经济、快速、高品质、低次品率的工业化生产,是SiCp/Al材料行业发展的机遇与挑战。目前,SiCp/Al材料制备方法与工艺的研究,主要分为粉末冶金、搅拌熔铸、共喷沉积、无压渗透与压力渗透五种。 目前SiCp/Al材料的五种制备方法均已有一定的研究成果,国外发展较早,按照地域主要分为美国、欧洲与日本三大技术开发中心,生产的SiCp/Al材料产品广泛用于飞机、卫星、导
    天岳先进:碳化硅衬底领军企业,实现半导体材料自主可控[ 01-21 09:01 ]
    碳化硅衬底属于高度技术密集型行业,具有极高的技术壁垒。技术迭代更新需要长期持续开展大量创新性的工作,同时需要获取海量的技术数据积累,以完成各工艺环节的精准设计。在国外部分发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景下,天岳先进自主研发出半绝缘型碳化硅衬底产品,实现我国核心战略材料的自主可控,有力保障国内产品的供应,确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。 经过十余年的技术发展,天岳先进已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术,自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术
    碳化硅芯片在国内汽车行业中的发展现状[ 01-20 15:52 ]
    据湖南日报显示,近日由中车时代电气C-Car平台孵化的全新一代产品C-Power220s,在中车电驱第10万台产品下线暨第二届中车电驱自主创新技术高峰论坛上正式发布,该产品是国内首款基于自主碳化硅(SiC)大功率电驱产品,系统效率最高可达94%。应用了碳化硅技术的C-Power220s高压碳化硅电驱系统产品具有系统功率密度高、系统损耗少、续航能力强的优势,其系统效率最高可达94%,可适应当前新能源汽车高频快充、长续航、高安全的需求,并广泛适配于高端轿车、SUV等车型,可灵活前后置搭载,能为乘客带来更安全、更高效、更
    碳化硅芯片在国外汽车行业中的发展现状[ 01-19 15:49 ]
    在全球,碳化硅功率半导体的需求量不断攀升。越来越多的厂商对碳化硅功率半导体加大投入,国外知名厂商有ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、InfineonTechnologies、Littelfuse、Ascatron等。作为全球领先的技术和服务供应商,博世于两年前宣布将继续推进碳化硅芯片研发并实现量产。为实现这一目标,博世自主开发了极为复杂的制造工艺流程,并于2021年初开始生产用于客户验证的样品。 由市场调研咨询公司Yole发布的预测显示,从现在到2025年
    碳化硅陶瓷3D打印成型结合反应烧结制备技术[ 01-18 15:41 ]
    3D打印技术又称增材制造技术,该技术基于离散-堆积原理,利用计算机程序将产品的三维模型分层处理,通过加热或黏结的方式将原料逐层堆积形成立体形状的坯体。 3D打印结合反应烧结制备工艺在复杂结构碳化硅陶瓷产品近净尺寸成型方面具有巨大优势,可提高产品生产效率并降低生产成本,为制造复杂结构陶瓷提供了新的工艺方案。目前,3D打印成型的陶瓷坯体普遍存在表面质量差、尺寸精度低、烧结致密性偏低等问题,影响了3D打印技术在规模化工业生产的应用,未来需要继续提高3D打印用陶瓷材料的制备水平和打印过程的控制精度,以便实现低成本、高
    碳化硅陶瓷注浆成型结合反应烧结制备技术[ 01-17 15:39 ]
    注浆成型技术多用于传统陶瓷的制备,目前也在碳化硅窑具、喷嘴、热交换器等复杂结构产品的制备过程中得到越来越多的应用。 注浆成型结合反应烧结工艺流程:将碳化硅粉、烧结助剂、去离子水、分散剂、黏结剂等混合制成碳化硅浆料,注入多孔模具,通过毛细管力将浆料中的水分逐渐吸出,沿模具内壁向内固化成坯体;当坯体厚度达到设定值后,倒出剩余浆料,一定时间后脱模得到碳化硅坯体,再经过干燥、修坯、烧结等工艺制得碳化硅陶瓷成品。 注浆成型工艺操作简单、灵活性强、成本低,适于制造复杂结构的陶瓷产品。
    碳化硅陶瓷凝胶注模成型结合反应烧结制备技术[ 01-16 15:35 ]
    凝胶注模成型技术是由OMATETE等发明的一种近净尺寸成型技术,可实现大尺寸、复杂结构陶瓷制品的近净尺寸成型,其成型时间短,模具制备简单,尺寸精度高,制作成本低。该工艺的基本原理是在低黏度高固含量的陶瓷浆料中加入有机单体、交联剂、引发剂和分散剂等,在引发剂的作用下有机单体和交联剂聚合形成空间三维网状结构,使浆料中悬浮的陶瓷颗粒原位固化成型,并按照模具设计形状固化成相应的坯体。该坯体经脱模、干燥、排胶、烧结得到陶瓷制品毛坯。 凝胶注模成型结合反应烧结工艺可以实现复杂结构碳化硅陶瓷的制备。通常,烧结前后碳化硅坯体
    碳化硅陶瓷冷等静压成型结合无压烧结制备技术[ 01-15 15:33 ]
    冷等静压技术是在常温下,通过用橡胶或塑料作包套模具材料,以液体为压力介质,主要用以粉体材料成型,为进一步烧结或热等静压工序提供坯体。然后对成型坯体进行机加工得到陶瓷产品素坯,再进行无压烧结得到复杂结构碳化硅陶瓷的一种技术。 采用冷等静压成型结合无压烧结工艺可获得密度均匀、热导率高、力学性能优异的复杂结构碳化硅陶瓷,该工艺适用于比刚度、耐磨损、耐化学腐蚀、高温强度等性能要求高的碳化硅产品的制备。 美尔森布斯泰克公司采用冷等静压成型结合无压烧结工艺制备了太空反射镜、激光振镜、反应器等多种复杂结构碳化硅陶瓷制
    复杂结构碳化硅陶瓷未来发展领域[ 01-14 14:31 ]
    随着科学技术的快速发展,碳化硅陶瓷的应用领域进一步拓宽,但特殊的使用工况也对SiC陶瓷制品的形状复杂性提出了更高的要求。例如:在航空航天领域,为了提高光学系统的分辨率,碳化硅陶瓷反射镜必须满足口径大、质量小的要求,因此反射镜的减重设计越来越复杂;在集成电路领域,碳化硅陶瓷作为集成电路装备关键组成部分,其结构复杂,精度要求极高;在化工医药领域,碳化硅陶瓷可以用于制作能进行化学反应的三维结构微反应器元件,结构极其复杂。 由此可见,复杂结构碳化硅陶瓷在现代科技的发展中发挥着越来越重要的作用。SiC陶瓷常用的烧结工艺
    国内碳化硅陶瓷基复合材料(CMC)整体涡轮叶盘首次完成飞行试验[ 01-13 14:27 ]
    据中国航发动力研究所报道,国内科研机构研发的陶瓷基复合材料(CMC)整体涡轮叶盘在株洲成功完成了首次飞行试验验证,这也是国内陶瓷基复合材料转子件首次配装平台的空中飞行试验。 陶瓷基复合材料是未来航空发动机最有前景的材料之一,是提高航空发动机性能的关键材料。一般认为当发动机推得比达到或者超过15的时候,就需要采用陶瓷基复合材料这样的先进材料确保发动机性能达标。根据业内人士预测,第6代战斗机采用的高推重比发动机涡轮前温度将会突破2000度,这样就对高温涡轮提出了更高的要求。制造耐温度能力更强、重量更轻、使用寿命更
    新加坡与法国Soitec合作开发200毫米低成本碳化硅半导体器件[ 01-12 14:24 ]
    1月10日,新加坡科学、技术和研究机构 (A*STAR)旗下微电子研究所 (IME)和法国Soitec半导体公司宣布开展研究合作,共同开发满足电动汽车和高压电子设备应用的碳化硅器件。具体而言则是IME采用Soitec专有技术生产的200毫米直径碳化硅衬底开发外延及MOSFET,并以此建立基准展示优势。 法国Soitec利用其智能切割技术(SmartCut),可生产高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直径碳化硅晶圆衬底。SmartCut技术是在低质量的载体上粘贴高质量的单晶碳化硅,
    住友矿山将量产碳化硅功率半导体晶圆[ 01-11 14:19 ]
    如今,以碳化硅为代表的第三代半导体材料功率器件在各项性能指标上较现有硅基功率器件有飞跃性的提升。当纯电动汽车的逆变器采用碳化硅功率半导体时,可以降低电力损耗,因此耗电量可以比硅功率半导体大幅降低。 据外媒消息,住友金属矿山(简称住友矿山)开始量产新一代功率半导体使用的晶圆,材料采用的是碳化硅,新一代功率半导体面向纯电动汽车(EV)等的需求有望扩大。住友矿山要抢占Wolfspeed等领先企业的市场,预计2025年实现月产1万片。 为了进一步降低碳化硅晶圆的成本,住友矿山开发出了相关技术,在因结晶不规则而价
    碳化硅密度对光学镜面加工质量的影响[ 01-10 08:46 ]
    曾有科学家研究过密度对对光学镜面加工质量的影响,初步研究结果所示,在相同加工工艺条件下,碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量确实有一定影响。当采用一定粒度的金刚石抛光液对碳化硅陶瓷试样进行光学镜面加工时,低密度的碳化硅陶瓷光学镜面加工后表面粗糙度较高,高密度的碳化硅陶瓷光学镜面加工后表面粗糙度较低。 通过光学显微镜观察,碳化硅陶瓷光学镜面加工后表面缺陷主要表现为气孔或缺陷,密度较高的碳化硅陶瓷试样光学镜面加工后,表面气孔或缺陷更少,表面质量更好。另外,降低磨粒尺寸有利于表面质量的提高。 如上所述,碳化硅陶瓷
    碳化硅反射镜——千里眼的角膜[ 01-09 08:34 ]
    如果把大型光学望远镜比作人类的“千里眼”,那么主反射镜就是这只“千里眼”的核心部件——“角膜”。国际上常用的反射镜基体材料有石英玻璃、微晶玻璃、碳化硅、金属铍,以及碳纤维/碳化硅复合材料等。与其他材料相比,碳化硅(SiC)具有更大的比刚度(E/ρ)和热稳定性(λ/α),这使得在实现同样的光学口径和精度要求下,碳化硅反射镜具有更小的重量、更优的热稳定性。 有关资料表明,碳化硅质反射镜
    碳化硅反射镜的制作难点[ 01-08 08:43 ]
    随着技术发展,碳化硅反射镜的应用领域正在不断扩大,在空间对地观测、深空探测、天文观测和量子通讯等方面都能看到它的身影。 但是,这些高性能空间光学元件往往会要求具有超光滑表面(表面粗糙度<1nmRMS),因此碳化硅材料在反射镜应用方面主要面临以下两方面困难: 一方面,由于SiC材料比刚度大,化学稳定性高,很难通过机械力抛光的方法直接获得高质量的SiC光学镜面; 另一方面,非常难以直接制备完全致密的SiC材料,残留的气孔等缺陷会影响光学加工质量,最终影响镜面质量。不过令人意外的是,后者的影响其实远比前
    碳化硅芯片目前的发展应用[ 01-07 15:55 ]
    碳化硅是最近几年半导体专家发现的一种新型半导体材料,和普通的硅芯片相比,碳化硅芯片的优势在于它可以承受更大的功率,可以对电流进行更加精细的控制,而电动汽车的电控系统负责控制从电池流向电动机的电流与电压大小,借此控制电动机的转速以及整辆汽车的加减速,碳化硅芯片就非常适合用在电控系统里,当做控制电流的部件。因此,新能源汽车可以说是碳化硅最重要的下游领域。 碳化硅芯片具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在大功率电子、航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优点。第三代半导体材料碳
    中车时代电气发布国内首款基于自主碳化硅的电驱系统[ 01-06 10:52 ]
    作为新能源汽车“三电”系统之一,电驱系统是新能源汽车的动力源,是不可或缺的核心零部件。碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一,基于碳化硅的解决方案可使系统效率更高、重量更轻,且结构更紧凑。12月26日,由中车时代电气C-Car平台孵化的我国首款基于自主碳化硅研制的大功率电驱系统C-Power220s正式发布,系统效率最高可达94%。 中车时代电气汽车事业部总经理何亚屏表示:“新能源汽车是碳化硅最重要的下游领域,今天发布的C-Power220s电驱系统就是采用
    长城汽车入股同光半导体,将推动碳化硅芯片产业化[ 01-05 10:48 ]
    12月29日,长城汽车股份有限公司(以下简称“长城汽车”)与河北同光半导体股份有限公司(以下简称“同光股份”)签署战略投资协议,正式进军第三代半导体核心产业。此次,长城汽车作为领投方入股同光股份,将推进后者的碳化硅产业发展,聚焦第三代宽禁带半导体碳化硅在新能源汽车产业的应用,推动碳化硅半导体材料与芯片的产业化。 据了解,同光股份位于保定市高新技术开发区,于2012年成立,是中科院半导体所的合作单位,主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。主要产品包括4英
    国产碳化硅衬底龙头山东天岳科创板上市[ 01-04 10:44 ]
    12月30日,国内碳化硅衬底材料企业山东天岳先进科技股份有限公司公告首次公开发行股票并在科创板上市。本次发行价格82.79元/股,预计募集资355757.7783万元(约35.6亿元),高于此前招股意向书中披露的200000万元(20亿元)。 9月7日,天岳先进首发申请获上交所上市委员会通过,拟募集资金20亿元主要用于碳化硅半导体材料项目,以提高公司碳化硅衬底的产业化能力。招股书中提到,全球碳化硅半导体产业市场快速发展并已迎来爆发期,国际巨头纷纷加大投入实施扩产计划,为了追赶与头部企业之间在产能上的差距,山东
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