欢迎光顾金蒙新材料官方网站!

金蒙新材料

金蒙新材料
碳化硅生产企业
服务热线:
4001149319
碳化硅
联系金蒙新材料
全国咨询热线:4001149319

电话:

0539-6281618/6281619

传真:0539-6281097

邮箱:jm@jm-sic.com

地址:山东省临沭县泰安路中段

多孔重结晶碳化硅陶瓷的制备与力学性能表征[ 05-09 16:20 ]
多孔重结晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides,RSiC)由于纯度极高、不含晶界杂质相而具有优异的高温力学性能、热稳定性、耐腐蚀性能、高热导率以及较小的热膨胀系数,作为高温结构材料广泛用于航空航天等领域。而且由于烧结过程中不收缩,可以制备形状复杂、精度较高的部件。 目前,针对RSiC的研究和应用,一方面在于提高其致密度用于极端环境服役的高温结构材料,另一方面在于提高其气孔率用于高温过滤催化用的多孔结构/功能材料。 高温过滤催化用多孔材料,如用作柴油车尾气颗粒物过滤器(Die
做一片八英寸SiC晶圆生产难点在哪?[ 05-07 16:27 ]
目前以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸,硅晶圆的生产经验是否可以助力SiC晶圆向更大面积发展,与硅晶圆相比,SiC晶圆的生产难点又在哪里?   包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→设计→制造→封装。其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用;外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能;设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材
SiC外延生长常见元素[ 04-18 16:40 ]
SiC外延生长:常见元素 衬底: •用于电力电子的4H多型 •当前晶圆直径150mm和200mm •定向4°离轴 •双面抛光 •在晶片的硅面上生长的外延 •需要对硅表面进行仔细的化学机械抛光(cmp)以减少缺陷 生长参数: •温度~1650oC •压力~50-100mbar •硅源 •碳源 •掺杂气体 •C
SiC相对于Si器件的优势[ 04-17 15:34 ]
SiC相对于Si器件的优势: •SiC的宽带隙允许更薄的外延层来阻挡给定的电压 •较薄的漂移层降低了整体器件电阻 •更高的电子饱和速度允许更高频率的运行 •SiC的高导热性允许器件在>200C的高温下运行
碳化硅陶瓷换热器的研究背景及现状[ 04-11 15:11 ]
上世纪八十年代,国外曾用碳化硅化热元件制作陶瓷换热器。我国成都科技大学化机教研室八十年代研制碳化硅管高温换热器,并于1986年用于碳酸钾工业生产。该换热器主要换热元件由碳化硅陶瓷材料组成,高温烟气在管外,被加热气体在管内,两者呈错流。碳化硅管可承受1540℃高温,所以高温烟气可直接进入换热器中进行交换。高温烟气有较大的辐射热,而碳化硅管可以充分利用高温气体辐射传热和火焰辐射传热。该技术在碳酸钾生产中应用,节能和增产都获得明显的效果。使用碳化硅管换热器后,空气预热温度从350℃提高到500℃,加快了干燥温度,日产量由
碳化硅具有优良的物理和化学性能[ 03-22 16:17 ]
去年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”明确提出,我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业。 作为第三代半导体代表材料,碳化硅具有优良的物理和化学性能。 力学性能:高硬度(克氏硬度为3000kg/mm2),可以切割红宝石;高耐磨性,仅次于金刚石。 热学性能:热导率超过金属铜,是Si的3倍,是GaAs的8~10倍,散热性能好,对于大功率器件非常重要。 化学性能:耐腐蚀性非常
碳化硅陶瓷材料的防弹原理是什么[ 02-10 08:48 ]
在大家的印象里,陶瓷是易碎品。但经过现代科技加工后,碳化硅陶瓷“摇身一变”,成为了一种坚硬、高强度的新材料,尤其是在对材料有特殊物理性能要求的防弹领域,碳化硅陶瓷更是大放异彩,成为非常热门的防弹材料。 装甲防护的基本原理是消耗射弹能量、使射弹减速并达到无害。绝大部分传统的工程材料,如金属材料通过结构发生塑性变形来吸收能量,而碳化硅陶瓷材料则是通过微破碎过程吸收能量。 碳化硅防弹陶瓷的吸能过程大致可分为3个阶段。(1)初始撞击阶段:弹丸撞击陶瓷表面,使弹头变钝,在陶瓷表面粉碎形成细
SiC反向恢复时间与Si MOSFET相比如何?[ 12-20 14:43 ]
SiCMOSFET与其硅对应物一样,具有内部体二极管。体二极管提供的主要限制之一是不希望的反向恢复行为,当二极管关断同时承载正正向电流时会发生这种情况。因此,反向恢复时间(trr)成为定义MOSFET特性的重要指标。图2显示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之间的比较。可以看出,SiCMOSFET的体二极管非常快:trr和Irr的值小到可以忽略不计,能量损失Err大大降低。
碳化硅如何实现比硅更好的热管理?[ 12-20 14:41 ]
另一个重要参数是热导率,它是半导体如何散发其产生的热量的指标。如果半导体不能有效散热,则器件可以承受的最大工作电压和温度会受到限制。这是碳化硅优于硅的另一个领域:碳化硅的导热率为1490W/mK,而硅的导热率为150W/mK。
为什么SiC在高频下的表现优于IGBT?[ 12-20 14:39 ]
在大功率应用中,过去主要使用IGBT和双极晶体管,目的是降低高击穿电压下出现的导通电阻。然而,这些设备提供了显着的开关损耗,导致发热问题限制了它们在高频下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基势垒二极管和MOSFET等器件,实现高电压、低导通电阻和快速运行。
为什么碳化硅能承受这么高的电压?[ 12-20 14:35 ]
功率器件,尤其是MOSFET,必须能够处理极高的电压。由于电场的介电击穿强度比硅高约十倍,SiC可以达到非常高的击穿电压,从600V到几千伏。SiC可以使用比硅更高的掺杂浓度,并且漂移层可以做得非常薄。漂移层越薄,其电阻越低。理论上,给定高电压,单位面积漂移层的电阻可以降低到硅的1/300。
为什么SiC在功率应用中战胜了Si?[ 12-20 14:32 ]
碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率器件的关键因素。 尽管是电子产品中使用最广泛的半导体,但硅开始显示出一些局限性,尤其是在高功率应用中。这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。当带隙很高时,它使用的电子设备可以更小、运行得更快、更可靠。它还可
碳化硅在电子领域有哪些应用?[ 12-20 14:28 ]
碳化硅是一种非常适合电力应用的半导体,这主要归功于它能够承受高电压,比硅可使用的电压高十倍。 基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗。 碳化硅二极管和晶体管还可以在更高的频率和温度下工作,而不会影响可靠性。 SiC器件的主要应用,例如肖特基二极管和FET/MOSFET晶体管,包括转换器、逆变器、电源、电池充电器和电机控制系统。
金蒙新材料纳米碳化硅特点?[ 08-29 08:34 ]
  金蒙新材料生产的纳米碳化硅微粉GCW0.5产品主要用于无压烧结碳化硅陶瓷原材料,主要采用湿式研磨的生产工艺,具有纯度高、粒度分布窄、流动性好、稳定性强等优点,生产的产品密度高、高硬度耐磨、耐腐蚀等特点,广泛应用于密封件、防弹装备、碳化硅3D手机背板玻璃热弯模具、加热板、轴套、航天、航空、核工业、石油、化工、机械汽车、船舶、泵阀、新能源及科研国防军事等领域。     纳米碳化硅特点:比表面积大,高表面活性,松装密度低,具有高硬度,高耐磨性和良好的自润滑,高热传导率,低
你知道碳化硅结晶结构是什么吗?[ 08-27 13:47 ]
碳化硅结晶结构是一种典型的共价键结合的化合物,自然界几乎不存在。碳化硅晶格
碳化硅如何运用在磨料中?[ 07-20 15:55 ]
山东金蒙新材料生产的碳化硅用途十分广泛
揭密碳化硅纳米材料的发展[ 07-14 17:44 ]
碳化硅纳米材料会如何发展?金蒙新材料为您解答;
抛光用碳化硅的特性[ 07-01 15:41 ]
绿碳化硅微粉干燥后有粘结的小团
您知道抛光研磨用什么型号的碳化硅吗?[ 05-31 16:18 ]
山东金蒙新材料生产的碳化硅主要特点
碳化硅微粉中影响质量的问题有哪些[ 05-29 16:31 ]
  碳化硅中影响质量的参数,硅片切割主要是钢线携带砂浆进行研磨的滚动式切割,而起主导作用的就是砂浆中的碳化硅,由于切割中碳化硅会与硅发生碰撞、摩擦,使得碳化硅部分颗粒不断的磨损及破碎,从而影响了硅片切割的质量。在碳化硅几个主要的参数当中,硬度、粒型、粒径、圆形度及微粉含量在切割中起到了至关重要的作用,碳化硅硬度是受碳化硅生产的原料的硬度决定的,冶炼时间的长短决定了碳化硅的硬度,如果硬度过低,在切割过程中与硅碰撞摩擦,会导致颗粒被磨平钝化,导致切割能力不足,最终会使硅片产生锯痕;粒型与其破碎的工艺相关,如果
记录总数:145 | 页数:812345678