碳化硅器件被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”[ 07-19 16:23 ]

2018年，特斯拉在Model3电驱主逆变器上，率先采用了意法半导体供应的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件开始逐渐成为市场发展的热点。碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标和整体性能有着重要影响。 碳化硅SiC是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新

碳化硅陶瓷精密结构部件制备工艺[ 07-07 15:39 ]

采用碳化硅作为光刻机等集成电路关键装备用精密结构件材料具有极大的优势。但是传统的陶瓷制备工艺如注浆、干压等很难实现诸如光刻机工作台这类复杂部件的制备。为此，中国建材总院研发出一系列成型、烧结技术，解决了采用碳化硅材料制作此类部件的国产化问题。 碳化硅陶瓷具有高强度、高硬度、高弹性模量、高比刚度、高导热系数、低热膨胀系数等优良性能，是一种理想的高性能结构材料，但将其应用于制备具有“大、厚、空、薄、轻、精”特点的光刻机等集成电路关键装备用精密结构件时，却存在诸多的技术难点和挑战，比如如何实

碳化硅陶瓷结构件在光刻机中的应用[ 07-06 16:37 ]

集成电路制造关键技术及装备主要有包括光刻技术及光刻装备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求。 ●碳化硅工件台 以光刻机中工件台为例，该工件台主要负责完成曝光运动，要求实现高速、大行程、六自由度的纳米级超精密运动，如对于100nm分辨率、套刻精度为33nm和线宽为10nm的光刻机，其工件台定位精度要求达到10nm，掩模-硅片同时步进和扫描速度分别达到150nm/s和12

光刻机精密部件的主选材料--碳化硅陶瓷[ 07-05 14:29 ]

碳化硅陶瓷具有高的弹性模量和比刚度，不易变形，并且具有较高的导热系数和低的热膨胀系数，热稳定性高，因此碳化硅陶瓷是一种优良的结构材料，目前已经广泛应用于航空、航天、石油化工、机械制造、核工业、微电子工业等领域。但是，由于碳化硅是Si-C键很强的共价键化合物，具有极高的硬度和显著的脆性，精密加工难度大；此外，碳化硅熔点高，难以实现致密、近净尺寸烧结。 因此，大尺寸、复杂异形中空结构的精密碳化硅结构件的制备难度较高，限制了碳化硅陶瓷在诸如集成电路这类的高端装备制造领域中的广泛应用。目前只有日本、美国等少数几个发达

碳化硅陶瓷换热器设计时要注意的问题[ 06-16 16:15 ]

碳化硅具有很高的导热系数，同时其化学性能稳定、热膨胀系数小、耐磨性能好，并具有优异的抗热震性。所以，碳化硅质材料是陶瓷换热器的首选材料。碳化硅在水蒸气、含氧气氛中存在高温氧化问题。含氧气氛中，碳化硅在800℃以上开始被氧化，可形成一层SiO2保护膜，在温度高于1200℃时该保护膜即软化被冲蚀破坏，换热元件寿命迅速缩短。这也是一般碳化硅换热元件最高用到1200℃的原因。碳化硅与蒸汽自1000℃开始强烈反应，腐蚀生成的SiO2与水蒸气发生挥发反应，生成气态的Si(OH)4，不能形成保护膜。 因此在碳化硅换热器设计