关于发展碳化硅产业一些理性思考[ 06-04 16:14 ]

目前，国内碳化硅产业看上去红红火火，但硅的霸主地位依旧不可撼动，80%集成电路仍在使用硅，而碳化硅的优势主要在于其功率特性。 车用市场是碳化硅首先引爆的应用市场，2022年以后，SBD会因为国内厂商的崛起引发激烈竞争，而车规MOSFET应用的高壁垒形成了精英赛道，能够跑到最后的竞争者有限。因此，是否有能力开展MOSFET的研发，是否有能力出货，就成了判断碳化硅器件公司成功与否的客观标准。 未来，从产业链价值分布及客户优势等方面看，上游拥有衬底量产技术、外延能力的企业，以及拥有功率半导体器件经验、下游客户

碳化硅产业链的“中坚力量”：外延生长[ 05-28 15:42 ]

碳化硅产业链主要分为衬底制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺不同，无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。外延生长作为承上启下的重要环节，是产业链的中坚力量。 碳化硅产业链主要分为衬底制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺不同，无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各

碳化硅晶片去除表面损伤的4种常用方法[ 05-25 15:30 ]

碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。 晶片的表面会有损伤，损伤源于本来晶体生长的缺陷、前面加工步骤中的破坏。对于局部损伤，世界上有四种方法：不管、更换、修补、去除；对于碳化硅表面的损伤层，不管不顾肯定不行，因为会影响器件的成品率；更换晶片，不就是砸自己的饭碗嘛；修补其实是再次生长，现在没有低成本的方案；而去除是一条还算可行的，用一定的材料废弃，来提高总体材料

碳化硅器件应用于逆变器优势[ 05-20 16:41 ]

碳化硅导通损耗和开关损耗优势明显。就电动汽车逆变器而言，功率器件是核心能量转换单元，其损耗包含两部分，导通损耗Econ和开关损耗Esw。 碳化硅在电流比较小也就是轻载的工况下导通损耗优势是比较明显的，再结合轻载工况开关损耗占比更大（碳化硅开关损耗也低），这也印证了为什么碳化硅更适合城市工况。因此逆变器应用碳化硅MOS体现在效率Map上就是高效区面积比较大。 另外，碳化硅MOS打开时双向导通，又规避了IGBT模块在续流时，FRD的导通压降比IGBT大的问题，进一步降低导通损耗。 碳化硅可降低整车能耗

SiC器件在各行业中的应用及优势[ 05-16 16:55 ]

1、电源/大型服务器：用于电源及功率因数校正器内部，减积减重、提高效率、降低损耗。 2、光伏：用于光伏逆变器中，光伏发电产生的电流为直流电，需要通过逆变器转换为交流电以实现并网。采用SiC功率器件可以减积减重；提高逆变转化效率2%左右，综合转换效率达到98%；降低损耗，提高光伏发电站经济效益；SiC材料特性，降低故障率。 3、风电：用于风电整流器、逆变器、变压器，风力发电产生的交流电易受风力影响使得电压、电流不稳定，先要经过整流为直流电后再逆变成交流电实现并网，提高效率、降低损耗，同时成本和质量分别减少