碳化硅宽禁带半导体目前存在的问题[ 05-14 15:50 ]

①大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。 目前国际上已经开发出了8英寸SiC单晶样品，单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC单晶衬底加工技术；p型衬底技术的研发较为滞后。 ②n型SiC外延生长技术有待进一步提高。 ③SiC功率器件的市场优势尚未完全形成，尚不能撼动目前硅功率半导体器件市场上的主体地位。 国际SiC器件领域：SiC功率器件向大容量方向发展受限制；SiC器件工艺技术水平比较低；缺乏统一的测试评价标准。 中国SiC功率器件领域存在以下3个方面差距：

多孔重结晶碳化硅陶瓷的制备与力学性能表征[ 05-09 16:20 ]

多孔重结晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于纯度极高、不含晶界杂质相而具有优异的高温力学性能、热稳定性、耐腐蚀性能、高热导率以及较小的热膨胀系数，作为高温结构材料广泛用于航空航天等领域。而且由于烧结过程中不收缩，可以制备形状复杂、精度较高的部件。 目前，针对RSiC的研究和应用，一方面在于提高其致密度用于极端环境服役的高温结构材料，另一方面在于提高其气孔率用于高温过滤催化用的多孔结构/功能材料。 高温过滤催化用多孔材料，如用作柴油车尾气颗粒物过滤器(Die

做一片八英寸SiC晶圆生产难点在哪？[ 05-07 16:27 ]

目前以硅基为材料的晶圆已经开始从8英寸迈向了12英寸，硅晶圆的生产经验是否可以助力SiC晶圆向更大面积发展，与硅晶圆相比，SiC晶圆的生产难点又在哪里？   包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→设计→制造→封装。其中，衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用；外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层，这些外延层是制造半导体芯片的重要原料，影响器件的基本性能；设计包括器件设计和集成电路设计，其中器件设计包括半导体器件的结构、材

SiC外延生长常见元素[ 04-18 16:40 ]

SiC外延生长：常见元素 衬底： •用于电力电子的4H多型 •当前晶圆直径150mm和200mm •定向4°离轴 •双面抛光 •在晶片的硅面上生长的外延 •需要对硅表面进行仔细的化学机械抛光(cmp)以减少缺陷 生长参数： •温度~1650oC •压力~50-100mbar •硅源 •碳源 •掺杂气体 •C

SiC相对于Si器件的优势[ 04-17 15:34 ]

SiC相对于Si器件的优势： •SiC的宽带隙允许更薄的外延层来阻挡给定的电压 •较薄的漂移层降低了整体器件电阻 •更高的电子饱和速度允许更高频率的运行 •SiC的高导热性允许器件在>200C的高温下运行