碳化硅功率器件的低杂散电感封装技术介绍[ 09-01 16:56 ]

目前已有的大部分商用SiC器件仍采用传统Si器件的封装方式。传统封装技术成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但传统封装结构导致其杂散电感参数较大，在碳化硅器件快速开关过程中造成严重电压过冲，也导致损耗增加及电磁干扰等问题。 而杂散电感的大小与开关换流回路的面积相关。其中，金属键合连接方式、元件引脚和多个芯片的平面布局是造成传统封装换流回路面积较大的关键影响因素。消除金属键合线可以有效减小杂散电感值，将其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封装结构分别进行介绍。 ①单管翻转贴片封装 阿肯

什么是SiCf/SiC复合材料[ 08-30 16:24 ]

SiCf/SiC陶瓷基复合材料是指在SiC陶瓷基体中引入SiC纤维作为增强材料，形成以引入的SiC增强纤维为分散相，以SiC陶瓷基体为连续相的复合材料。SiCf/SiC陶瓷基复合材料保留了SiC陶瓷耐高温、高强度、抗氧化、耐腐蚀、耐冲击的优点，同时兼具SiC纤维增强增韧作用，克服了SiC陶瓷断裂韧性低和抗外部冲击载荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC复合材料作为一种综合性能优异的高温热结构材料，在航空、航天、核能、汽车等领域具有广泛的应用前景，成为目前各个西方国家的研究热点。

C/SiC陶瓷基复合材料应用[ 08-29 17:21 ]

碳纤维不仅具有密度低、比强度高、耐磨、耐腐蚀、导电、导热、摩擦系数低等特性，而且还具备十分优异的高温力学性能，其在惰性气氛、2000℃以上环境中，力学性能仍然不下降。但其高温抗氧化性较差，因此通常与金属、陶瓷、树脂等复合，制备应用于航空航天、军事工业等尖端技术领域的先进复合材料。 在热结构陶瓷基复合材料领域中，碳化硅以其优异的高温力学性能（强度、抗氧化性、抗蠕变性等）、低的热膨胀系数和摩擦系数、优良的导热和导电性，成为基体材料的主要候选之一。然而SiC陶瓷的缺点是脆性较大。 C/SiC陶瓷基复合材料通过

SiC晶圆材料主要加工工艺[ 08-13 15:29 ]

碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，广泛应用于半导体、光学镜面、机械密封等现代工业领域，许多领域往往对其表面加工质量有较高的要求，SiC的表面平坦化质量直接影响制件性能，决定了制件的成品率。随着SiC的应用和发展逐步广泛和深入，其加工精度要求日益增长。但SiC属于典型的脆硬性材料，其平坦化加工时在力的作用下易产生微裂纹，亚表层缺陷多，使得该材料面临加工效率低、加工困难及加工成本居高不下等问题，制约了其大规模应用和推广。 目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序

Al2O3-SiC-C浇注料中碳氧化的问题[ 08-10 11:30 ]

高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程。在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的首*选。高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道。高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、高效运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率。因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之一。 由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性。Al2O3-SiC-C浇注料因具有良好的抗侵蚀性和抗热震性等优点，是当今国内外高炉出铁沟工作衬的普遍选择。Al