碳化硅陶瓷换热器的研究背景及现状[ 04-11 15:11 ]

上世纪八十年代，国外曾用碳化硅化热元件制作陶瓷换热器。我国成都科技大学化机教研室八十年代研制碳化硅管高温换热器，并于1986年用于碳酸钾工业生产。该换热器主要换热元件由碳化硅陶瓷材料组成，高温烟气在管外，被加热气体在管内，两者呈错流。碳化硅管可承受1540℃高温，所以高温烟气可直接进入换热器中进行交换。高温烟气有较大的辐射热，而碳化硅管可以充分利用高温气体辐射传热和火焰辐射传热。该技术在碳酸钾生产中应用，节能和增产都获得明显的效果。使用碳化硅管换热器后，空气预热温度从350℃提高到500℃，加快了干燥温度，日产量由

碳化硅具有优良的物理和化学性能[ 03-22 16:17 ]

去年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”明确提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。 作为第三代半导体代表材料，碳化硅具有优良的物理和化学性能。 力学性能：高硬度（克氏硬度为3000kg/mm2），可以切割红宝石；高耐磨性，仅次于金刚石。 热学性能：热导率超过金属铜，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散热性能好，对于大功率器件非常重要。 化学性能：耐腐蚀性非常

碳化硅陶瓷材料的防弹原理是什么[ 02-10 08:48 ]

在大家的印象里，陶瓷是易碎品。但经过现代科技加工后，碳化硅陶瓷“摇身一变”，成为了一种坚硬、高强度的新材料，尤其是在对材料有特殊物理性能要求的防弹领域，碳化硅陶瓷更是大放异彩，成为非常热门的防弹材料。 装甲防护的基本原理是消耗射弹能量、使射弹减速并达到无害。绝大部分传统的工程材料，如金属材料通过结构发生塑性变形来吸收能量，而碳化硅陶瓷材料则是通过微破碎过程吸收能量。 碳化硅防弹陶瓷的吸能过程大致可分为3个阶段。（1）初始撞击阶段：弹丸撞击陶瓷表面，使弹头变钝，在陶瓷表面粉碎形成细

SiC反向恢复时间与Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]

SiCMOSFET与其硅对应物一样，具有内部体二极管。体二极管提供的主要限制之一是不希望的反向恢复行为，当二极管关断同时承载正正向电流时会发生这种情况。因此，反向恢复时间(trr)成为定义MOSFET特性的重要指标。图2显示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之间的比较。可以看出，SiCMOSFET的体二极管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不计，能量损失Err大大降低。

碳化硅如何实现比硅更好的热管理？[ 12-20 14:41 ]

另一个重要参数是热导率，它是半导体如何散发其产生的热量的指标。如果半导体不能有效散热，则器件可以承受的最大工作电压和温度会受到限制。这是碳化硅优于硅的另一个领域：碳化硅的导热率为1490W/mK，而硅的导热率为150W/mK。