碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%，以质量计：Si 70.04%、C 29.96%，相对分子质量为40.09。
  Si-C二元系统相图，碳化硅无一致熔融点。在封闭系统中、在总压为101kPa的条件下，碳化硅在2735℃分解成石墨和富硅熔体。此温度也是形成碳化硅结晶的最高温度。在开放系统中，碳化硅约在2300℃左右开始分解、形成气态硅和残余石墨。
  碳化硅有两种晶形：β-碳化硅类似闪锌矿结构的等轴晶系；α-碳化硅则为晶体排列致密的六方晶系。β-碳化硅约在2100℃转变为碳化硅。
  合成
  （一）用二氧化硅和碳（煤）合成碳化硅
  工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦（无烟煤）为主要原料，在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：
  Si02+3C→SiC+2CO-46.8kJ(11.20kcal)
  回炉料的要求：包括无定形料、二级料，应满足下列要求：SiC>80%,Si02+Si<10%,固定碳<5%,杂质<4.3%。
  焙烧料的要求：未反应的物料层必须配入一定的焦炭、木屑、食盐后做焙烧料。加人量(以100t计）焦炭0~50kg，木屑30~50L,食盐3%~4%。
  保温料的要求：新开炉需要配保温料。焦炭与石英之比为0.6。如用乏料代替应符合如下要求：SiC<25%，Si02+Si>35%，C20%，其他<3.5%。