碳化硅是一种宽带隙半导体材料，也是目前发展最为成熟的第三代半导体材料，具有优良的热学、力学、化学和电学性质，不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一，同时又可以用作基于氮化镓的蓝光发光二极管的衬底材料，可广泛应用在电力电子领域、微波器件领域和LED光电子领域，使用碳化硅可以承受更高电源、更大电路、耗尽层可以做的更薄，因而工作速度更快、器件体积更小、重量更轻。

　　在市面上一般有三种材料可作为衬底：蓝宝石、硅、碳化硅。其中蓝宝石是使用最多的沉底材料，具有生产技术成熟、器件质量较好、稳定性好、机械强度高、易于处理和清洗等优点。但它也有许多不能克服的缺点：第一，晶格失配和热应力失配会导致外延层中产生大量缺陷，同时给后续器件加工工艺造成困难;第二，蓝宝石是绝缘体，电阻率很大，无法制成垂直结构的器件;第三，通常在外延层上表面制作N型和P型电极，造成了有效发光面积减少，材料利用率降低;第四，蓝宝石的硬度非常高，仅次于金刚石，难以对它进行薄化和切割;第五，蓝宝石导热性能不是很好，因此在使用半导体照明器件时，会传导出大量的热量，对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。