碳化硅陶瓷的基本特性

文章出处：网责任编辑：作者：人气：-发表时间：2020-04-01 15:24:00【大中小】

碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性，在汽车、机械化工、环境保护、空间技术、信息电子、能源等领域有着日益广泛的应用，已经成为一种在很多工业领域性能优异的其他材料不可替代的结构陶瓷。

基本特性

一、化学属性

1、抗化合性：碳化硅材料在氧气中反应达到1300℃时会生成二氧化硅保护层，抵制碳化硅继续被化合。1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高工作气温。

2、耐酸碱性：在耐酸、碱及化合物的效用方面，因为二氧化硅保护膜的效用，碳化硅的抗酸能力非常非常强，抗碱性稍差。

二、物理性能

1、密度：各样碳化硅晶形的颗粒密度十分相近，通常情况下，应该是3.20g/mm，其碳化硅磨料的堆积密度在1.2--1.6g/mm之间，其高低取决于其粒度号、粒度合成和颗粒形状的大小。

2、硬度：碳化硅的硬度为：莫氏9.5级。单晶硅的硬度为：莫氏7级。多晶硅的硬度为：莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。

3、导热率：碳化硅制品的导热率非常高，热膨胀参数小，抗热震性非常高，是优质的耐火材料。

三、电学属性

恒温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。

四、其它属性

1、亲水性好。

2、在电性能方面,SiC具有半导体特性,少量杂质的引入会使其表现出良好的导电性。

3、优良的导热性。

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