碳化硅陶瓷的制作工艺
碳化硅的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将α-SIC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态硅接触,坯体中的碳与渗入的硅反应,生产β-SIC,并与α-SIC相结合,过量的硅填充与气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结碳化硅通常含有8%的游离硅。因此,为保证渗硅的完全,素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中α-SIC和碳的含量,α-SIC的粒度级配,碳的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。
实验表明,采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的碳化硅陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说,热压烧结和热等静压烧结碳化硅陶瓷相对较多,反应烧结碳化硅相对降低。另一方面,碳化硅陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结碳化硅陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力,单反应烧结碳化硅陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看,当温度低于900℃时,几乎所有碳化硅陶瓷强度均有所提高;当温度超过1400℃时,反应烧结碳化硅陶瓷抗弯强度急剧下降。对于无压烧结和热等静压烧结的碳化硅陶瓷,其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。
此文关键字:碳化硅
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