近年来，为进一步提高碳化硅陶瓷的力学性能，研究人员进行了碳化硅陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以Ｂ和Ｃ为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在1900℃便获得高密度碳化硅烧结体。更进一步，通过该工艺，在2000℃和138MPa压力下，成功实现无添加剂碳化硅陶瓷的致密烧结。
  经研究表明：当SiC粉末的粒径小于0.6μｍ时，即使不引入任何添加剂，通过热等静压烧结，在1950℃即可使其致密化。如选用比表面积为24㎡/g的SiC超细粉，采用热等静压烧结工艺，在1850℃便可获得高致密度的无添加剂碳化硅陶瓷。另外，Al2O3是热等静压烧结碳化硅陶瓷的有效添加剂。而Ｃ的添加对碳化硅陶瓷的热等静压烧结致密化不起作用，过量的Ｃ甚至会抑制碳化硅陶瓷的烧结。