第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带Ⅳ族化合物以及宽禁带氧化物，具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

为助力中国第三代半导体行业发展提质增效，更好地整合国内外第三代半导体行业的优势资源，实现中国半导体行业迅速崛起。在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园管理委员会主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）将于2017年11月1-3日在北京首都机场希尔顿酒店召开。

其中，作为论坛的重要组成部分，“碳化硅材料与器件分会”将涵盖SiC衬底、同质外延和电力电子器件技术。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅材料及电力电子器件技术的最新进展。

碳化硅（SIC）被半导体界公认为“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。