21世纪，是信息技术大爆发的时代，在信息技术快速发展过程中，必然离不开半导体材料的迅猛发展。半导体材料、器件的发展必将引发一场全新的产业技术革命。

以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料在短波长激光器、白光发光管、高频大功率器件等方面有广阔的应用，是目前半导体产业技术发展的一个热门方向。

碳化硅功率器件不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，工业电机等传统工业领域广泛应用，而且在新能源汽车、太阳能光伏、风力发电等领域具有广阔的潜在市场。

与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比，碳化硅具有更优良的物理和化学性质，这些性质包括高热导率、高硬度、耐化学腐蚀、耐高温、对光波透明等。

以碳化硅为代表的宽禁带半导体功率器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。

碳化硅材料优异的热学特性和抗辐照特性也使其成为制备紫外光电探测器的首选材料之一。

此外，碳化硅基传感器能够弥补Si基传感器在高温、高压等恶劣环境下的性能缺陷，从而拥有更广阔的适用空间

碳化硅功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，带来体积、重量以及成本的大幅减低。