（一）用金属硅合成碳化硅
  反应式：Si+C=SiC
  采用高纯度金属硅粉和高纯度碳粉（石墨粉）、在真空或保护气氛下加热合成。在1150~1250℃元素硅（Si)与碳（C)反应生成β-SiC，具有非晶态结构，到1350℃开始有β-SiC结晶。在2000℃生成β-SiC结晶。高于2000℃可生成α-SiC。
  用这种方法生产的碳化硅，虽然成本高，但可生产出高纯度的碳化硅材料。
  （二）用气体法合成碳化硅
  用四氯化硅（SiCl4)和碳氢化物（甲苯）反应，在1200~1800℃是生成SiC的最合适的温度。用化学计量比Si:C=1:1的硅有机化合物，甲基三氯硅烷热解可制取SiC。在1400~1900℃生成无色的SiC单晶体。
  用这种方法可以生产出高纯的半导体、单晶体SiC,可在难熔金属或其他化合物及石墨制品上制取致密的保护层。还可制取SiC高强度晶须及纤维。
  （三）合成碳化硅的理化性能
  (1)合成碳化硅的国家标准。
  (2)密度：以46号粒度为代表号绿碳化硅不小于3.18g/cm3;黑碳化硅不小于3.12g/cm3；
  (3)粒度组成：应符合GB/T2477-1981《磨料粒度及其组成》的规定；
  (4)铁合金粒允许含量为零；
  (5)磁性物允许含量：不大于0.2%。