推荐产品
联系金蒙新材料
- SiC外延生长常见元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生长：常见元素 衬底： •用于电力电子的4H多型 •当前晶圆直径150mm和200mm •定向4°离轴 •双面抛光 •在晶片的硅面上生长的外延 •需要对硅表面进行仔细的化学机械抛光(cmp)以减少缺陷 生长参数： •温度~1650oC •压力~50-100mbar •硅源 •碳源 •掺杂气体 •C
- SiC相对于Si器件的优势[ 04-17 15:34 ]
- SiC相对于Si器件的优势： •SiC的宽带隙允许更薄的外延层来阻挡给定的电压 •较薄的漂移层降低了整体器件电阻 •更高的电子饱和速度允许更高频率的运行 •SiC的高导热性允许器件在>200C的高温下运行
- SiC的不同晶体结构[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，SiC有着超过200种（目前已知）同质多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有优良的物理和化学性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成电路应用 6H-SiC——射频应用 在不同的晶面上生长不同的晶锭多型体： 4H-SiC——在碳(C)面晶种上生长 6H-SiC&
- 士兰微：6寸SiC功率器件芯片生产线预计今年Q3通线[ 04-15 17:26 ]
- 近日，士兰微在接受机构调研时表示，SiC生产线目前还是中试线。公司已着手在厦门士兰明镓公司建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，预计在2022年三季度实现通线。 据了解，士兰微2022年营收主要增长点主要是IPM模块、PIM模块、MEMS传感器、AC-DC电路、DC-DC电路、手机快充芯片、PoE电路、IGBT、MOSFET、FRD等产品。士兰微表示，未来公司对集成电路板块的规划和战略的重点会放在车规和工业级电源管理产品、功率IC、信号链和混合信号处理电路、MEMS传感器等。
- 碳化硅半导体市场大爆发[ 04-14 16:21 ]
- 据yole介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在EV主逆变器方面的需求，sic市场高速增长。 据报告，继特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新发布的EV和公告。此外，特斯拉创纪录的出货量帮助SiC器件在2021年达到10亿美元的规模。他们指出，为了满足长续航的需求，800VEV是实现快速直流充电的解决方案。这就是1200VSiC器件发挥重要作用的地方。 根据报告，截至2022年，比亚迪的Han-EV和现代的Ioniq-5通过提供快速充电功能获得了不错的销量。Nio、Xpeng等更多OEM计划
